Тестер ESR. LCR-T4 ESR LCR метр в корпусе. Тестер полупроводников

Описание

Тестер полупроводников и RLC-метр LCR-T4 на процессоре ATmega 328 (КІТ)
(Тестер транзисторов, диодов, тиристоров, измеритель RLC, измеритель ESR)

Особенности.

Измеритель емкости
Последняя версия программного обеспечение на чипе ATmega328

Жидкокристаллический дисплей 128х64 с зеленой подсветкой.

Автоматическая идентификация радиоэлектронных компонентов (резистор, конденсатор, катушка индуктивности, диод, двойной диод, биполярный NPN, PNP транзистор, N- канальный и Р- канальный MOS FET, JFET транзистор, маломощный тиристор, симистор.

Измерение сопротивления, емкости, индуктивности, прямого напряжения перехода в диодах и биполярных транзисторах, емкости и порогового напряжения затвора в полевых транзисторах, обнаружение защитных диодов в транзисторах.

Поставляется без корпуса (КІТ).

Питание 9V от батареи типа «Крона» (не входит в комплект поставки).

* Разряжайте конденсаторы до тестирования!

LCR ESR измеритель
Технические характеристики тестера полупроводников и измерителя RLC, ESR.

Измеритель индуктивности
1. Тест полупроводников, конденсаторов, резисторов, индуктивностей производится за одну операцию – нажатием кнопки. Автоматическое выключение после теста.

2. Потребляемый ток после отключения не более 20nA .

3. Диапазон измерения резисторов составляет от 0,1 Ом до 50M Ом с точностью 1%.

4. Диапазон измерения емкости составляет от 25рF до 100mF и точностью 1%.

5. Диапазон измерения индутивности составляет от 0,01mН до 20H и точностью 1%.

6. Автоматическое определение NPN, PNP биполярных транзисторов , N -канальных и Р- канальных MOS FET, JFET транзисторов , диодов, двойных диодов, тиристоров небольшой мощности, однонаправленных и двунаправленных тиристоров.

7. Автоматическое определение цоколевки полупроводников.

8. Измерение в биполярных транзисторах коэффициента усиления и порогового напряжения база – эмиттер.

9. Обнаружение защитных диодов в биполярных и MOS FET транзисторах.

10. Идентификация транзисторов Дарлингтона.

11. Измерение порогового напряжения и емкости затвора в MOS FET транзисторах.

12. Измерение ESR конденсатора с разрешением 0,01 Ом.

13. Измерение двойных резисторов (потенциометров) с отображение на дисплее символов резистора.

14. Отображение символов двойных диодов с измерением прямого напряжение каждого перехода.

15. Определение комбинированных светодиодов.

16. Определение напряжения пробоя в стабилитронах с напряжением не более 4.5V.